日前，英飛凌宣布與中國的新能源汽車充電市場企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。

　　SiC技術(shù)相比傳統(tǒng)的硅技術(shù)可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和運營成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節(jié)省1 kWh電能，每年節(jié)省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率器件在電動汽車充電模塊中的應(yīng)用。

　　作為最早將溝槽柵技術(shù)用于晶體管的SiC功率半導(dǎo)體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設(shè)計。這些器件具有高閾值電壓，并簡化了柵極驅(qū)動。CoolSiC MOSFET技術(shù)在上市前已通過馬拉松應(yīng)力試驗及柵極電壓跳變應(yīng)力試驗，并在上市后定期進行監(jiān)控，以確保擁有最高柵極可靠性。

　　通過采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動汽車的快速充電需求，還能實現(xiàn)比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達(dá)到全球領(lǐng)先水平。

免責(zé)聲明：本文轉(zhuǎn)自網(wǎng)絡(luò)，僅代表作者個人觀點，與亞訊車網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容（包括圖片版權(quán)等問題）未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。

關(guān)鍵詞：充電,汽車,功率,技術(shù),電動